Teste Double Pulse em SiC e GaN
Minimizar as perdas de comutação é um desafio em dispositivos de potência SiC e GaN. O Teste de Duplo Pulso (DPT) é o método padrão para avaliar o comportamento dinâmico de MOSFETs e IGBTs, permitindo a medição da energia dissipada nos eventos de turn-on e turn-off, além dos parâmetros de recuperação reversa.
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